N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 200 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
2N6758	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	75
2N6766	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.085	30	19	150
2N6784	TO-205AF	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
2N6790	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.8	3.5	2.25	20
2N6798	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
IRF230	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	75
IRF240	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
IRF250	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.085	30	19	150
IRF5Y31N20	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.092	18	14	100
IRF9240	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.5	-11	-7.0	125
IRFE210	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
IRFE220	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.8	2.8	1.8	14
IRFE230	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
IRFEA240	28-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.18	11	7	50
IRFF210	TO-205AF	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
IRFF220	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.8	3.5	2.25	20
IRFF230	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
IRFI260	TO-259AA	DISCRETE	N	200	0.06	45	29	300
IRFM240	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
IRFM250	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRFM260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.06	35	28	250
IRFN240	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
IRFN250	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
IRFV260	TO-258AA	DISCRETE	N	200	0.06	45	29	300
IRFY240CM	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.18	16	10.2	100
JANTX2N6758	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	75
JANTX2N6766	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.085	30	19	150
JANTX2N6784	TO-205AF	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
JANTX2N6784U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
JANTX2N6790	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.8	3.5	2.25	20
JANTX2N6790U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.8	2.8	1.8	14
JANTX2N6798	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
JANTX2N6798U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
JANTX2N7219	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
JANTX2N7219U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
JANTX2N7225	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
JANTX2N7225U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
JANTXV2N6758	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	75
JANTXV2N6766	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.085	30	19	150
JANTXV2N6784	TO-205AF	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
JANTXV2N6784U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	1.5	2.25	1.5	15
JANTXV2N6790	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.8	3.5	2.25	20
JANTXV2N6790U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.8	2.8	1.8	14
JANTXV2N6798	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
JANTXV2N6798U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.4	5.5	3.5	25
JANTXV2N7219	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
JANTXV2N7219U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.18	18	11	125
JANTXV2N7225	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
JANTXV2N7225U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	27.4	17	150
OM6002SR	D2	DISCRETE	N	200	0.44	9	6	50
OM6039SM	SMD-3	DISCRETE	N	200	0.44	9	5	50
OM6051SJ	TO-267AA	DISCRETE	N	200	0.03	35		280
OM6057SB	PB-3A	DISCRETE	N	200	0.018	100	44	570

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения