N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 12-55 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRF5M3205	TO-254AA	DISCRETE	N	55	0.015	35	35	125
IRF5N3205	SMD-1	DISCRETE	N	55	0.008	55	55	75
IRF5NJZ34	SMD-0.5	DISCRETE	N	55	0.04	22	16	40
IRF5NJZ48	SMD-0.5	DISCRETE	N	55	0.016	22	22	75
IRF5Y3205CM	TO-257AA	DISCRETE	N	55	0.022	18	18	100
IRF5YZ48CM	TO-257AA	DISCRETE	N	55	0.026	18	18	75
IRF7E3704	18-pin LCC	DISCRETE	N	20	0.055	12	10	20
IRF7F3704	TO-205AF	DISCRETE	N	20	0.05	12	10.6	20
IRF7N1405	SMD-1	DISCRETE	N	55	0.0053	55	55	100
IRF7Y1405CM	TO-257AA	DISCRETE	N	55	0.0153	18	18	100
IRL5NJ024	SMD-0.5	DISCRETE	N	55	0.06	17	11	35
IRL5NJ7413	SMD-0.5	DISCRETE	N	30	0.014	22	22	75
IRL5Y024CM	TO-257AA	DISCRETE	N	55	0.069	17	11	35
IRL5Y7413CM	TO-257AA	DISCRETE	N	30	0.022	18	18	75
IRL7N1404	SMD-1	DISCRETE	N	40	0.006	55	55	100
IRL7NJ3802	SMD-0.5	DISCRETE	N	12	0.0085	22	22	50
IRL7Y1905C	TO-257AA	DISCRETE	N	50	0.125	10	5.0	15
IRL7YS1404CM	TO-257AA	DISCRETE	N	40	0.0085	20	20	100

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения